首页 > 商品目录 > > > > IRF8010PBF代替型号比较

IRF8010PBF  与  IPP126N10N3 G  区别

型号 IRF8010PBF IPP126N10N3 G
唯样编号 A-IRF8010PBF A-IPP126N10N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 260 W 81 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@45A,10V 11mΩ
上升时间 - 8ns
Qg-栅极电荷 - 35nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 29S
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 80A 58A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3830pF @ 25V -
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 260W(Tc) 94W
典型关闭延迟时间 - 24ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3830pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 14ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8010PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 260W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15mΩ@45A,10V N-Channel 100V 80A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 18,000 对比
AOT298L AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 14.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 58A TO220 100W

暂无价格 0 对比
IPP126N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP126N10N3GXKSA1_100V 58A 11mΩ 20V 94W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
PSMN015-100P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN015-100P_SOT78 N-Channel 300W 175℃ 3V 100V 75A

¥11.066 

阶梯数 价格
20: ¥11.066
50: ¥9.2217
0 对比
STP60NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售